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Wafers de SiC semi-isolantes 3 polegadas 76,2 mm 4H Tipo SiC para semicondutores
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Wafers de SiC semi-isolantes de 3 polegadas |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Tamanho: | 3 polegadas 76,2 mm | Estrutura de cristal: | Hexagonal |
|---|---|---|---|
| Falta energética:Por exemplo: | 3,26 | Mobilidade dos elétrons: μ, ((cm^2 /Vs): | 900 |
| Mobilidade do buraco: até ((cm^2): | 100 | Campo de desagregação: E ((V/cm) X10^6: | 3 |
| Conductividade térmica ((W/cm): | 4,9 | Constante dieléctrica relativa: es: | 9,7 |
| Realçar: | Semicondutores Wafers SiC,Wafers de SiC semi-isolantes,Wafer de carburo de silício de 3 polegadas |
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Descrição de produto
Resumo
O 4-HSemi-isolação SiCO substrato é um material semicondutor de alto desempenho com uma ampla gama de aplicações.Este substrato apresenta características elétricas excepcionais, incluindo alta resistividade e baixa concentração de portador, tornando-se uma escolha ideal para dispositivos eletrônicos de radiofrequência (RF), microondas e potência.
Principais características do 4-HSemi-isolador de SiCO substrato possui propriedades elétricas altamente uniformes, baixa concentração de impurezas e excelente estabilidade térmica.Estes atributos tornam-no adequado para a fabricação de dispositivos de potência de RF de alta frequência, sensores eletrónicos de alta temperatura e equipamento eletrónico de microondas.Sua alta resistência ao campo de ruptura e excelente condutividade térmica também o posicionam como o substrato preferido para dispositivos de alta potência.
Além disso, o 4-HSemi-isolação SiCO substrato demonstra uma excelente estabilidade química, o que lhe permite operar em ambientes corrosivos e ampliar a sua gama de aplicações.Desempenha um papel fundamental em indústrias como a fabricação de semicondutores, telecomunicações, defesa e experimentos de física de alta energia.
Em resumo, o 4-HSemi-isolador de SiCum substrato, com as suas excelentes propriedades eléctricas e térmicas,é muito promissor no domínio dos semicondutores e constitui uma base fiável para a produção de dispositivos eletrónicos de alto desempenho.
Propriedades
Propriedades elétricas:
- Alta resistência:4H Semi-isolação SiCTem uma resistência muito elevada, tornando-o um excelente material para aplicações de semi-isolação onde se deseja uma baixa condutividade elétrica.
- Alta tensão de ruptura: devido à sua larga distância,4H Semi-isolação SiCTem uma tensão de ruptura elevada, tornando-a adequada para aplicações de alta potência e alta tensão.
Propriedades térmicas:
- Alta condutividade térmica:SiCem geral tem uma elevada condutividade térmica, e esta propriedade se estende a 4-H Semi-IsoladorSiCAlém disso, ajuda na dissipação eficiente do calor.
- Estabilidade térmica: Este material mantém suas propriedades e desempenho mesmo em altas temperaturas, tornando-o adequado para uso em ambientes térmicos adversos.
Propriedades mecânicas e físicas:
- Dureza: Tal como outras formas deSiC, o4-H Semi-IsoladorA variante também é muito dura e resistente à abrasão.
- Inertitude química: É quimicamente inerte e resistente à maioria dos ácidos e álcalis, garantindo estabilidade e longevidade em ambientes químicos adversos.
| Politipo | Cristal único 4H | ||
| Parâmetros da malha | a=3,076 A C=10,053 A |
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| Sequência de empilhamento | ABCB | ||
| Fenda de banda | 3.26 eV | ||
| Densidade | 3.21 10^3 kg/m^3 | ||
| Coeficiente de expansão térmica | 4-5x10^-6/K | ||
| Índice de refração | não = 2.719 ne = 2.777 |
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| Constante dielétrica | 9.6 | ||
| Conductividade térmica | 490 W/mK | ||
| Campo elétrico de ruptura | 2-4 108 V/m | ||
| Velocidade da deriva de saturação | 2.0 105 m/s | ||
| Mobilidade dos elétrons | 800 cm^2NS | ||
| Furo Mobilidade | 115 cm^2N·S | ||
| Dureza de Mohs | 9 |
Propriedades ópticas:
- Transparência em infravermelho:4H SiC semi-isolanteÉ transparente à luz infravermelha, o que pode ser benéfico em determinadas aplicações ópticas.
Vantagens para aplicações específicas:
- Eletrônica: ideal para dispositivos de alta frequência e alta potência devido à sua alta tensão de ruptura e condutividade térmica.
- Optoelectronics: Adequado para dispositivos optoelectronic que operam na região infravermelha.
- Dispositivos de energia: Usados na fabricação de dispositivos de energia, como diodos Schottky, MOSFETs e IGBTs.
4H SiC semi-isolanteÉ um material versátil que é utilizado em várias aplicações de alto desempenho devido às suas excepcionais propriedades elétricas, térmicas e físicas.
Sobre a nossa empresa
Venda e serviço ao cliente
Compra de materiais
O departamento de aquisição de materiais é responsável por reunir todas as matérias-primas necessárias para produzir o seu produto.incluindo análises químicas e físicas estão sempre disponíveis.
Qualidade
Durante e após a fabricação ou usinagem dos seus produtos, o departamento de controlo de qualidade está envolvido em assegurar que todos os materiais e tolerâncias cumprem ou excedem as suas especificações.
Serviço
Temos orgulho de ter pessoal de engenharia de vendas com mais de 5 anos de experiência na indústria de semicondutores.Eles são treinados para responder a perguntas técnicas, bem como fornecer cotações oportunas para suas necessidades.
Estamos ao seu lado sempre que tiver um problema, e resolvemo-lo em 10 horas.